TCL华星再攻关键材料自产高地，自研铜酸聚焦价值重构

近期,TCL华星自研铜酸项目获得突破性进展,解决了高铜离子浓度下安全性问题及蚀刻速率下降的关键技术瓶颈,实现了铜酸极致寿命8000ppm,远超业界高双氧水一剂型体系7000ppm的上限。这一成果不仅有望进一步降低生产成本,增强自身竞争力,更展现出TCL华星在半导体显示领域,针对核心基础技术及材料的自研技术实力。近年来,随着“百年未有之大变局”的出现,稳定产业链安全,成为中国制造业重中之重的任务,而核心材料的自主自研,是稳定产业链安全,增强企业、乃至行业竞争力的关键一环。作为半导体行业的领军企业,TCL华星面临日益严峻的行业现状,开始积极转变经营思路,推进采购管理模式升级优化,组织深度分析和分品类的结构降本,提出并落实了多个关键材料山头项目,“铜酸自混自研项目”便是其中之一。正是基于对行业环境的洞察及企业自身所需,TCL华星针对刻蚀电路用的铜酸,这一成本较高的核心材料,TCL华星开始了漫长的铜酸自研之路。自2016年,TCL华星便围绕“配方体系建立,配方精细化调整,生产工艺开发,检测技术开发”四个关键节点,进行了该基础材料领域的能力构建,相继攻克了一系列蚀刻特性技术难题,2016年完成了开发平台、量产平台搭建,2019年实现了单点突破M1 H#1 t2单线量产,在近两年的刻苦钻研之后,2020年实现技术升级,自研H#2 实现深圳铜制程 M1 全线量产,也因此成为了业内首个成功自研铜酸的面板企业。阶段性的胜利并未让TCL华星的自研铜酸团队安于现状,而是再次踏上精益求精的技术攻坚之路。通过对螯合剂和稳定剂的深入研究,TCL华星的自研铜酸团队相继突破了高铜离子浓度下的安全性问题、蚀刻速率下降等关键技术瓶颈,延寿路线取得巨大突破进展:自研H#6配方突破高双氧水体系8000ppm寿命上限。这是TCL华星的材料自研能力又站上了新的台阶,不仅标志着TCL华星在铜酸领域技术实力的夯实与精进,更为企业降本增效提供更大助力。铜酸蚀刻示意图从无到有,从有到优,再到突破行业上限的领先成绩,这得益于TCL华星对研发的高度重视和投入,以及多年来不断夯实的强大人才团队。TCL华星自研铜酸项目团队由经验丰富的专家带队,团队内不乏博士及硕士人才,雄厚的人才基础及坚定目标持续深耕细作,造就了这一支捷报频传的强大科研战队,该项目在为企业降本方面带来的效果也很显著,从2020年至今,TCL华星的铜酸上的成本已节约数亿人民币。从企业角度来看,TCL华星铜酸自研项目的成功有利于材料配方基础能力构建,最终能定制化开发,避免高阶产品受制于人。从长期发展的维度看,TCL华星通过创新模式实现上下游整合,调整经营结构,打造材料生态链,更能进一步实现结构性降本,有利于提升利润。最后,TCL华星通过此次项目实现自主配方知识产权,大大增强了公司的技术竞争力与产业链话语权。在经济深度全球化的今天,维护我国产业链、供应链安全刻不容缓,尤其是在疫情持续蔓延的背景下,必须在加强维护全球供应链稳定的基础上,重视产业链国产化,实现技术自强。面临供应链市场的不确定性,TCL华星将持续重视产业生态建设,保障国内产业链供应安全,全面构筑TCL华星在全球半导体显示领域的影响力,持续为行业、为社会经济发展做出更多贡献!